Transistori ad effetto di campo in SiC e GaN: vantaggi, stato dell'arte ed applicazioni

Public Engagement
Seminario tenuto all'interno dell'evento "SiC, GaN and Power Supply: new trends in power electronics" organizzato da Batter Fly, Rohde&Schwarz e Wurth Elektronik.
Sede dell’iniziativa:
"HOTEL GALILEO" Via Venezia, 30 - 35131 Padova (PD)
Periodo di svolgimento dell’iniziativa:
Aprile 1, 2025

Dati Generali

Obiettivi

Sensibilizzare la comunità industriale sulle caratteristiche di funzionamento e vantaggi dei dispositivi ad ampio band-gap in carburo di silicio e nitruro di gallio.

Tipo

Partecipazioni attive a incontri pubblici organizzati da altri soggetti

Strutture collegate

Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari" (Nessun ruolo, solo afferenza)

Competenze

Afferenze

Partecipanti

SAVI FILIPPO (Relatore)