Data di Pubblicazione:
2001
Citazione:
Hot Hole Gate Current in Surface Channel p-MOSFETs / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Piazza, F.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 22:1(2001), pp. 29-31. [10.1109/55.892434]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Elenco autori:
Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Piazza, F.
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