Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction

Articolo

Data di Pubblicazione:

2010

Citazione:

Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50:9-11(2010), pp. 1861-1865. [10.1016/j.microrel.2010.07.047]

Tipologia CRIS:

Articolo su rivista

Elenco autori:

Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M

Autori di Ateneo:

CAPELLI Raffaella

Link alla scheda completa:

https://iris.unimore.it/handle/11380/1176676

Pubblicato in:

MICROELECTRONICS RELIABILITY

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