Data di Pubblicazione:
1999
Citazione:
Gate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon / Bellutti, P.; Zorzi, N.; Verzellesi, Giovanni. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 39:(1999), pp. 181-185. [10.1016/S0026-2714(98)00221-0]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Silicon dioxide; CMOS process; LOCOS; gate oxide reliability.
Elenco autori:
Bellutti, P.; Zorzi, N.; Verzellesi, Giovanni
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