Data di Pubblicazione:
2023
Citazione:
High-k/InGaAs interface defects at cryogenic temperature / Cherkaoui, K.; La Torraca, P.; Lin, J.; Maraviglia, N.; Andersen, A.; Wernersson, L. E.; Padovani, A.; Larcher, L.; Hurley, P. K.. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 207:(2023), pp. 108719-108719. [10.1016/j.sse.2023.108719]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Cryogenic impedance measurements; Device simulation; High-k/InGaAs interface defects; Oxide defects;
Elenco autori:
Cherkaoui, K.; La Torraca, P.; Lin, J.; Maraviglia, N.; Andersen, A.; Wernersson, L. E.; Padovani, A.; Larcher, L.; Hurley, P. K.
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