Estimating the Number of Defects in a Single Breakdown Spot of a Gate Dielectric

Articolo

Data di Pubblicazione:

2024

Citazione:

Estimating the Number of Defects in a Single Breakdown Spot of a Gate Dielectric / Ranjan, A.; Padovani, A.; Dianat, B.; Raghavan, N.; Pey, K. L.; O’Shea, S. J.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 45:5(2024), pp. 809-812. [10.1109/led.2024.3375952]

Tipologia CRIS:

Articolo su rivista

Elenco autori:

Ranjan, A.; Padovani, A.; Dianat, B.; Raghavan, N.; Pey, K. L.; O’Shea, S. J.

Autori di Ateneo:

PADOVANI ANDREA

Link alla scheda completa:

https://iris.unimore.it/handle/11380/1337208

Pubblicato in:

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

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