Data di Pubblicazione:
1996
Citazione:
Negative Vbe shift due to base dopant outdiffusion in DHBT / Borgarino, Mattia; F., Paorici; Fantini, Fausto. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 39:(1996), pp. 1305-1310. [10.1016/0038-1101(96)00041-X]
Abstract:
By applying a light electrical stress at room temperature to an ALE grwon double mesa processed DHBT and comparing the experimental data with numerical simulations new interesteing results are obtained.
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
DHBT; base dopant; simulation
Elenco autori:
Borgarino, Mattia; F., Paorici; Fantini, Fausto
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