Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation

Articolo
Data di Pubblicazione:
1997
Citazione:
Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation / G., Ghislotti; B., Nielsen; P., Asoka Kumar; K. G., Lynn; L. F., Di Mauro; Corni, Federico; Tonini, Rita. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 70:(1997), pp. 496-498. [10.1063/1.118315]
Abstract:
PAS is used to study Si-rich SiO2 samples prepared by implantation of Si (160 keV) ions at doses in the range 3e16-3e17 and consequent thermal annealing at high temperature (up to 1100 oC)....
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Positro annihilation spectroscopy; SiO2; ion implantatin
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/744037
Pubblicato in:
APPLIED PHYSICS LETTERS
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