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Pubblicazioni
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Rivista
Codice:
E212151
ISSN:
1089-7550
Dati Generali
Dati Generali
Pubblicazioni (5)
Diffusion coeffcient of electrons in Si
Articolo
Diffusion coefficient of holes in silicon by Monte Carlo simulation
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Hot-Carrier trap-limited transport in switching chalcogenides
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Leakage current through the poly-crystalline HfO2: trap densities at grains and grain boundaries
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