Transistori ad effetto di campo in SiC e GaN: vantaggi, stato dell'arte ed applicazioni

Name: Transistori ad effetto di campo in SiC e GaN: vantaggi, stato dell'arte ed applicazioni
Start: 2025-04-01T00:00:00
End: 2025-04-01T00:00:00
Location: "HOTEL GALILEO" Via Venezia, 30 - 35131 Padova (PD)

Public Engagement

Seminario tenuto all'interno dell'evento "SiC, GaN and Power Supply: new trends in power electronics" organizzato da Batter Fly, Rohde&Schwarz e Wurth Elektronik.

Location of the initiative:

"HOTEL GALILEO" Via Venezia, 30 - 35131 Padova (PD)

Date of the initiative:

April 1, 2025

Objectives

Sensibilizzare la comunità industriale sulle caratteristiche di funzionamento e vantaggi dei dispositivi ad ampio band-gap in carburo di silicio e nitruro di gallio.

Term type

Partecipazioni attive a incontri pubblici organizzati da altri soggetti

Linked Units

"Enzo Ferrari" Department of Engineering (Nessun ruolo, solo afferenza)

Concepts (2)

ERC field

PE7_2 - Electrical engineering: power components and/or systems - (2024)

PE7_5 - (Micro- and nano-) electronic, optoelectronic and photonic components - (2024)

Transistori ad effetto di campo in SiC e GaN: vantaggi, stato dell'arte ed applicazioni

Overview

Objectives

Term type

Linked Units

"Enzo Ferrari" Department of Engineering (Nessun ruolo, solo afferenza)

Skills

Concepts (2)

Affiliations

Members

SAVI FILIPPO (Relatore/Relatrice)