單一或多重閘極場平板之製造

Brevetto
Data di Pubblicazione:
2012
Citazione:
單一或多重閘極場平板之製造 / Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng. - (2012 Mar 01).
Abstract:
This invention relates to semiconductor devices and, more particularly, to the fabrication of single or multiple gate field plates.
Tipologia CRIS:
Brevetto
Keywords:
HEMT, Power FET, WBG Semiconductors
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
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https://iris.unimore.it/handle/11380/1199953
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