Confinement and passivation in isolated and coupled silicon quantum wires

Capitolo di libro
Data di Pubblicazione:
1996
Citazione:
Confinement and passivation in isolated and coupled silicon quantum wires / Ossicini, S., Bertoni, C.M., M., B., G., R., Bisi, O. - In: The Physics of Semiconductors / ED. M. SCHEFFLER AND R. ZIMMERMANN. - STAMPA. - Singapore : World Scientific, 1996. - ISBN 9789810227777. - pp. 1205-1209
Abstract:
Porous silicon, quantum wires, ab-initio calculation
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Keywords:
Low-dimensional systems; porous silicon; quantum wires
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/462517
Titolo del libro:
The Physics of Semiconductors