Data di Pubblicazione:
2025
Citazione:
Physical Modelling of Charge Trapping Effects / Buffolo, M., De Santi, C., Meneghesso, G., Meneghini, M., Zanoni, E., Zagni, N., Cioni, M., Chini, A., Puglisi, F.M., Pavan, P., Verzellesi, G. - In: Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors[s.l], 2025. - ISBN 9789819775057. - pp. 31-74 [10.1007/978-981-97-7506-4_2]
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Elenco autori:
Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Zagni, Nicolo'; Cioni, Marcello; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni
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Titolo del libro:
Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors