DISPOSITIVO INTEGRATO A ETEROGIUNZIONE NORMALMENTE SPENTO E METODO PER FABBRICARE UN DISPOSITIVO INTEGRATO
Patent
Publication Date:
2023
Short description:
DISPOSITIVO INTEGRATO A ETEROGIUNZIONE NORMALMENTE SPENTO E METODO PER FABBRICARE UN DISPOSITIVO INTEGRATO / Miccoli, Cristina; Iucolano, Ferdinando; Tringali, Cristina; Eloisa Castagna, Maria; Chini, Alessandro.
abstract:
La presente invenzione รจ relativa a un dispositivo integrato a eterogiunzione normalmente spento e a un metodo per fabbricare un dispositivo integrato.
Iris type:
Brevetto
Keywords:
HEMT, Power FET, WBG Semiconductors
List of contributors: