A Better Understanding of Substrate Enhanced Gate Current in VLSI MOSFET's and Flash Cells - Part I: Phenomenological Aspects

Articolo
Data di Pubblicazione:
1999
Citazione:
A Better Understanding of Substrate Enhanced Gate Current in VLSI MOSFET's and Flash Cells - Part I: Phenomenological Aspects / Esseni, David; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 46:(1999), pp. 369-375. [10.1109/16.740904]
Abstract:
N/A
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1163102
Pubblicato in:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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