An Experimental Study of Low Field Electron Mobility in Double-Gate, Ultra-Thin SOI MOSFETs
Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2001
Citazione:
An Experimental Study of Low Field Electron Mobility in Double-Gate, Ultra-Thin SOI MOSFETs / Esseni, David; M., Mastrapasqua; C., Fiegna; G. K., Celler; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - (2001), pp. 671-674. ( N/A N/A N/A) [10.1109/IEDM.2001.979536].
Tipologia CRIS:
Relazione in Atti di Convegno
Elenco autori:
Esseni, David; M., Mastrapasqua; C., Fiegna; G. K., Celler; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico
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Titolo del libro:
TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING
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