Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs

Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2002
Citazione:
Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. ( 2002 IEEE International Devices Meeting (IEDM) San Francisco, CA, usa Dec. 2002).
Tipologia CRIS:
Relazione in Atti di Convegno
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1163272
Titolo del libro:
Proceedings International Electron Device Meeting (IEDM) 2002
Pubblicato in:
TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING
Series