Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs

Articolo
Data di Pubblicazione:
2001
Citazione:
Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs / Dalla Serra, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 48:8(2001), pp. 1811-1815. [10.1109/16.936711]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Leakage current; MOS devices; Quantum effects; Resonant tunneling;
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1163388
Pubblicato in:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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