On Interface and Oxide Degradation in VLSI MOSFETs, Part II: Fowler-Nordheim Stress Regime

Articolo
Data di Pubblicazione:
2002
Citazione:
On Interface and Oxide Degradation in VLSI MOSFETs, Part II: Fowler-Nordheim Stress Regime / Esseni, David; Bude, J.; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:2(2002), pp. 254-263. [10.1109/16.981215]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Anode hole injection (AHI); High fields oxide stress; Interface states; MOSFETs reliability; Stress-induced leakage current (SILC);
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1163406
Pubblicato in:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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