A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance
Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2017
Citazione:
A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance / Hahn, H.; Deshpande, V.; Caruso, E.; Sant, S.; O'Connor, E.; Baumgartner, Y.; Sousa, M.; Caimi, D.; Olziersky, A.; Palestri, P.; Selmi, L.; Schenk, A.; Czornomaz, L.. - (2017), pp. 17.5.1-17.5.4. ( 63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017 San Francisco, CA DEC 02-06, 2017) [10.1109/IEDM.2017.8268410].
Tipologia CRIS:
Relazione in Atti di Convegno
Elenco autori:
Hahn, H.; Deshpande, V.; Caruso, E.; Sant, S.; O'Connor, E.; Baumgartner, Y.; Sousa, M.; Caimi, D.; Olziersky, A.; Palestri, P.; Selmi, L.; Schenk, A.; Czornomaz, L.
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Titolo del libro:
International electron device meeting
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