Data di Pubblicazione:
2020
Citazione:
The Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems / Caruso, E., Lin, J., Monaghan, S., Cherkaoui, K., Gity, F., Palestri, P., Esseni, D., Selmi, L., Hurley, P.K.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 67:10(2020), pp. 4372-4378. [10.1109/TED.2020.3018095]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Al2O3; capacitance-voltage (C-V ); conductance-voltage (G-V ); defects; InGaAs; interface traps; multifrequency; multiphonon; nonradiative multiphonon (NMP); oxide traps; quantization; quantum effects; spectroscopy; TCAD; tunneling.;
Elenco autori:
Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K.
Link alla scheda completa:
Pubblicato in: