New insights on the excess 1/f noise at cryogenic temperatures in 28 nm CMOS and Ge MOSFETs for quantum computing applications
Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2022
Citazione:
New insights on the excess 1/f noise at cryogenic temperatures in 28 nm CMOS and Ge MOSFETs for quantum computing applications / Asanovski, R.; Grill, A.; Franco, J.; Palestri, P.; Beckers, A.; Kaczer, B.; Selmi, L.. - 2022-:(2022), pp. 3051-3054. ( 2022 International Electron Devices Meeting, IEDM 2022 San Francisco (USA) 3-7 Dec. 2022) [10.1109/IEDM45625.2022.10019388].
Tipologia CRIS:
Relazione in Atti di Convegno
Elenco autori:
Asanovski, R.; Grill, A.; Franco, J.; Palestri, P.; Beckers, A.; Kaczer, B.; Selmi, L.
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Titolo del libro:
Proceedings of the International Electron Devices Meeting 2022
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