Advanced Physically Based Device Modeling for Gate Current and Hot Carrier Phenomena in Scaled MOSFETs
Capitolo di libro
Data di Pubblicazione:
2002
Citazione:
Advanced Physically Based Device Modeling for Gate Current and Hot Carrier Phenomena in Scaled MOSFETs / Palestri, P., Selmi, L., Dalla Serra, A., Abramo, A., Sangiorgi, E., M., P., P., R., F., W. - In: Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium / S.Luryi and J.Xu and A.Zaslavsky ; [a cura di] S. Luryi J. Xu A. Zaslavsky. - USA : Wiley, 2002. - ISBN 0471212474. - pp. 99-112
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Elenco autori:
Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Dalla Serra, Alberto; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico; M., Pavesi; P., Rigolli; F., Widdershoven
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Titolo del libro:
Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium