Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime

Articolo
Data di Pubblicazione:
2002
Citazione:
Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:5(2002), pp. 787-794. [10.1109/16.998585]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Channel hot carrier (CHC); CHISEL; Damage profiling; Flash memories; Hot carrier degradation; Substrate bias;
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1163165
Pubblicato in:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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