Data di Pubblicazione:
2001
Citazione:
Failure mechanisms in compound semiconductor electron devices / Fantini, Fausto; R., Menozzi; Borgarino, Mattia; L., Cattani; D., Dieci. - STAMPA. - 2:(2001), pp. 155-170.
Abstract:
In this chapter, we review the main failure mechanisms that affect advanced compound semiconductor electron devices such as high electron mobility transistors (HEMTs) and heterostructure bipolar transistors (HBTs).
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Keywords:
Reliability.
Accelerated tests.
Compound semiconductors.
FET.
HEMT.
HBT
Elenco autori:
Fantini, Fausto; R., Menozzi; Borgarino, Mattia; L., Cattani; D., Dieci
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Titolo del libro:
Semiconductor Devices