Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors

Capitolo di libro
Data di Pubblicazione:
1993
Citazione:
Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors / Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; E., Zanoni; Canali, Claudio. - STAMPA. - (1993), pp. 269-324. [10.1063/1.349391]
Abstract:
Non disponibile
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Keywords:
Impact ionization; bipolar junction transistor; BJT.
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/462672
Titolo del libro:
Process and Device Modeling for Microelectronics