Noise in resistive random access memory devices

Capitolo di libro
Data di Pubblicazione:
2020
Citazione:
Noise in resistive random access memory devices / Puglisi, F. M.. - (2020), pp. 87-133. [10.1007/978-3-030-37500-3_3]
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1227676
Titolo del libro:
Noise in Nanoscale Semiconductor Devices