Data di Pubblicazione:
2018
Citazione:
Effects of stair case gate bias stress in IGZO/Al2O3 flexible TFTs / Buonomo, M; Wrachien, N; Lago, N; Cantarella, G; Cester, A. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 88-90:(2018), pp. 882-886. [10.1016/j.microrel.2018.06.056]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Flexible TFT; Thin film transistor; Indium gallium zinc oxide; ALD Al2O3; Breakdown voltage
Elenco autori:
Buonomo, M; Wrachien, N; Lago, N; Cantarella, G; Cester, A
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