Skip to Main Content (Press Enter)

Logo UNIMORE
  • ×
  • Home
  • Corsi
  • Insegnamenti
  • Professioni
  • Persone
  • Pubblicazioni
  • Strutture
  • Terza Missione
  • Attività
  • Competenze

UNI-FIND
Logo UNIMORE

|

UNI-FIND

unimore.it
  • ×
  • Home
  • Corsi
  • Insegnamenti
  • Professioni
  • Persone
  • Pubblicazioni
  • Strutture
  • Terza Missione
  • Attività
  • Competenze
  1. Pubblicazioni

Hydrodynamic simulation of Semiconductor Devices

Capitolo di libro
Data di Pubblicazione:
1998
Citazione:
Hydrodynamic simulation of Semiconductor Devices / Massimo, R., Martino, L., Brunetti, R. - In: Theory of transport Properties of Semiconductor nanostructures / E. Schoell. - STAMPA. - London : Chapman & Hall, 1998. - ISBN 0412731002. - pp. 27-57 [10.1016/S0079-6727(97)00013-X]
Abstract:
The hydrodynamic model has become popular in the last years in the field of analysis and simulation of semiconductor devices. This paper reviews the foundations of the method and its applications to device simulation.
Tipologia CRIS:
Capitolo/Saggio
Keywords:
Semiconductor Devices; Hydrodynamic model; transport equations
Elenco autori:
Massimo, Rudan; Martino, Lorenzini; Brunetti, Rossella
Autori di Ateneo:
BRUNETTI Rossella
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/742784
Titolo del libro:
Theory of transport Properties of Semiconductor nanostructures
  • Utilizzo dei cookie

Realizzato con VIVO | Designed by Cineca | 26.7.2.0