DISPOSITIVO HEMT AVENTE UNA STRUTTURA DI PORTA MIGLIORATA E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE
Brevetto
Data di Pubblicazione:
2023
Citazione:
DISPOSITIVO HEMT AVENTE UNA STRUTTURA DI PORTA MIGLIORATA E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE / Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro; Eloisa Castagna, Maria; Constant, Aurore; Tringali, Cristina. - (2023 Mar 27).
Abstract:
La presente invenzione è relativa ad un dispositivo transistore ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica ("High Electron Mobility Transistor", HEMT) avente una struttura di porta migliorata e al relativo procedimento di fabbricazione.
Tipologia CRIS:
Brevetto
Keywords:
HEMT, Power FET, WBG Semiconductors
Elenco autori:
Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro; Eloisa Castagna, Maria; Constant, Aurore; Tringali, Cristina
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