DISPOSITIVO HEMT AVENTE UNA STRUTTURA DI PORTA MIGLIORATA E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE
Patent
Publication Date:
2023
Short description:
DISPOSITIVO HEMT AVENTE UNA STRUTTURA DI PORTA MIGLIORATA E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE / Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro; Eloisa Castagna, Maria; Constant, Aurore; Tringali, Cristina. - (2023 Mar 27).
abstract:
La presente invenzione è relativa ad un dispositivo transistore ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica ("High Electron Mobility Transistor", HEMT) avente una struttura di porta migliorata e al relativo procedimento di fabbricazione.
Iris type:
Brevetto
Keywords:
HEMT, Power FET, WBG Semiconductors
List of contributors: