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  1. Pubblicazioni

A Dual‐Memory Ferroelectric Transistor Emulating Synaptic Metaplasticity for High‐Speed Reservoir Computing

Articolo
Data di Pubblicazione:
2026
Citazione:
A Dual‐Memory Ferroelectric Transistor Emulating Synaptic Metaplasticity for High‐Speed Reservoir Computing / Wang, Y., Shahriar, M.S., Soliman, S., Vaillancourt, N., Fernandes, L., Padovani, A., Khan, A.I., Hasan, M.S., Islam, R.. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - 12:13(2026), pp. 1-13. [10.1002/aelm.202500844]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Elenco autori:
Wang, Yifan; Shahriar, Muhammad Sakib; Soliman, Salma; Vaillancourt, Noah; Fernandes, Lance; Padovani, Andrea; Khan, Asif Islam; Hasan, Md Sakib; Islam, Raisul
Autori di Ateneo:
PADOVANI ANDREA
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/1412988
Link al Full Text:
https://iris.unimore.it//retrieve/handle/11380/1412988/994113/ADVELE~1.PDF
Pubblicato in:
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
Journal
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