Skip to Main Content (Press Enter)

Logo UNIMORE
  • ×
  • Home
  • Corsi
  • Insegnamenti
  • Professioni
  • Persone
  • Pubblicazioni
  • Strutture
  • Terza Missione
  • Attività
  • Competenze

UNI-FIND
Logo UNIMORE

|

UNI-FIND

unimore.it
  • ×
  • Home
  • Corsi
  • Insegnamenti
  • Professioni
  • Persone
  • Pubblicazioni
  • Strutture
  • Terza Missione
  • Attività
  • Competenze
  1. Pubblicazioni

Many-Level Trap-to-Band Transitions in Chalcogenide Memories

Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2012
Citazione:
Many-Level Trap-to-Band Transitions in Chalcogenide Memories / Rudan, Massimo; Buscemi, Fabrizio; Marcolini, Giuliano; Giovanardi, Fabio; Cappelli, Andrea; Piccinini, Enrico; Brunetti, Rossella. - STAMPA. - (2012), pp. 129-132. ( 2012 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2012 Denver (USA) sept. 5-7 2012).
Abstract:
The effect of cooperative electron-electron interaction on trap-limited transport is analysed.
Tipologia CRIS:
Relazione in Atti di Convegno
Keywords:
chalcogenides; amorphous materials; trap-limited transport
Elenco autori:
Rudan, Massimo; Buscemi, Fabrizio; Marcolini, Giuliano; Giovanardi, Fabio; Cappelli, Andrea; Piccinini, Enrico; Brunetti, Rossella
Autori di Ateneo:
BRUNETTI Rossella
Link alla scheda completa:
https://iris.unimore.it/handle/11380/961491
Titolo del libro:
Proceedings 2012 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
  • Utilizzo dei cookie

Realizzato con VIVO | Designed by Cineca | 26.5.0.0