Multi-Subband Monte-Carlo study of Transport, Quantization and Electron Gas Degeneration in Ultra-Thin SOI n-MOSFETs
Articolo
Data di Pubblicazione:
2007
Citazione:
Multi-Subband Monte-Carlo study of Transport, Quantization and Electron Gas Degeneration in Ultra-Thin SOI n-MOSFETs / Lucci, L; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Bergagnini, L; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 54:5(2007), pp. 1156-1164. [10.1109/TED.2007.894606]
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Back-scattering; Ballistic transport; Monte Carlo (MC) method; MOSFETs; Scattering; Semiconductor device modeling; Silicon-on-insulator (SOI);
Elenco autori:
Lucci, L; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Bergagnini, L; Selmi, Luca
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