Data di Pubblicazione:
2013
Citazione:
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector / G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; A., Bosi; Bonaiuti, Matteo; C., Angelini; G., Batignani; S., Bettarini; F., Bosi; F., Forti; M. A., Giorgi; F., Morsani; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; A., Lusiani; R., Ciolini; G., Curzio; F., D'Errico; A., Del Gratta; Bidinelli, Luca; Rovati, Luigi; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; A., Picciotto; C., Piemonte; N., Zorzi; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 718:(2013), pp. 302-304. [10.1016/j.nima.2012.10.097]
Abstract:
A battery-powered, wireless Radon sensor has been designed and realized using a BJT, fabricated on a high-resistivity-silicon substrate, as a radiation detector. Radon daughters are electrostatically collected on the detector surface. Thanks to the BJT internal amplification, real-time a particle detection is
possible using simple readout electronics, which records the particle arrival time and charge. Functional tests at known Radon concentrations, demonstrated a sensitivity up to 4.9 cph/(100 Bq/m3) and a count rate of 0.05 cph at nominally-zero Radon concentration.
Tipologia CRIS:
Articolo su rivista
Keywords:
Radon; Silicon sensor; silicon bipolar transistors
Elenco autori:
G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; A., Bosi; Bonaiuti, Matteo; C., Angelini; G., Batignani; S., Bettarini; F., Bosi; F., Forti; M. A., Giorgi; F., Morsani; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; A., Lusiani; R., Ciolini; G., Curzio; F., D'Errico; A., Del Gratta; Bidinelli, Luca; Rovati, Luigi; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; A., Picciotto; C., Piemonte; N., Zorzi; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini
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